Каталог Наукоемких услуг и технологий Северо-Кавказского федерального университета

Наукоемкие технологии и разработки

Нанотехнологии и новые материалы

Производство древесно-полимерных композитных материалов

Автор(ы): Вишняков И.А.

Научно-техническое описание.

Древесно-полимерные композиты являются новым уникальным материалом, изделия из которого станут хорошей альтернативой для аналогичных изделий из дерева, бетона, металла. Изделия не намокают, не впитывают влагу, не гниют, не подвержены воздействию насекомых, в диапазоне температур от -50 до +50 С не изменяют габаритных размеров, на открытом воздухе могут эксплуатироваться практически неограниченное время. Экологически безвредны.

Производство предполагает выпуск широкого ассортимента изделий для различных отраслей народного хозяйства, в частности:

  • строительные элементы: стеновые панели, балюстрады, канализационные трубы половые доски;
  • конструкционные элементы: пирсы, тротуары, морские сваи и переборки, перила;
  • промышленно-потребительские элементы: парковые скамьи, столы, емкости, поддоны, мебель и ее элементы;
  • машиностроительные элементы: железнодорожные детали, полы грузовых машин.

Стадия развития проекта: опытный образец.

Конкурентные преимущества:

  • изготовление материалов из вторичного сырья;
  • низкая стоимость.

Предложения по сотрудничеству:

  • создание производства;
  • продажа технологии.

Контактная информация:
Тел.: 8 (8652) 95-68-44
E-mail: kafstroi@yandex.ru


Разработка и изучение физических свойств новых композиционных материалов на основе магнитных наноколлоидов

Автор(ы): Диканский Ю.И., д.ф-м.н., профессор, Закинян А.Р., Мкртчян Л.С.,Ткачева Е.С.

Научно-техническое описание.

Проект предполагает создание новых композиционных материалов на основе магнитных наноколлоидов – магниточувствительных эмульсий и аэрозолей, а также магнитных коллоидных наносистем с мелкодисперсным наполнителем. В качестве наполнителя предполагается использовать диэлектрические и проводящие частицы, нановолокна и нанотрубки. Согласно существующим в этой области разработкам такие системы при их накачке электрическим и переменным магнитным полями могут проявлять ряд оригинальных физических свойств, обусловленных особенностями коллективного поведения микро- и наночастиц в электромагнитном поле. Основное внимание предполагается уделить магнитным, электрическим и оптическим свойствам таких сред, а также вопросам поглощения такими средами электромагнитного излучения (в частности, инфракрасного излучения). наличие высококвалифицированного коллектива исполнителей.

Конкурентные преимущества:

  • наличие высококвалифицированного коллектива исполнителей.
Предложения по сотрудничеству:
  • инвестиции в НИР.

Контактная информация:
Диканский Юрий Иванович
Тел.: 8 (8652) 33-02-83 доб. 4921
E-mail: adikanskii@ncfu.ru


Магнитодиэлектрические эмульсии – новые функциональные материалы на основе магнитных наноколлоидов

Автор(ы): Диканский Ю.И., д.ф-м.н., профессор, Закинян А.Р., Ткачева Е.С.

Научно-техническое описание.

Предполагается создание и исследование нового композиционного жидкого материала магнитодиэлектрической эмульсии на основе магнитных наноколлоидов. С этой целью ведется разработка математической модели, описывающей физические свойства магнитодиэлектрических эмульсий, которые могут найти применение в качестве сред, электромагнитными параметрами которых можно эффективно управлять путем воздействия внешних электрического и магнитного полей. Могут применяться также при создании управляемых электротехнических модулей.

Конкурентные преимущества:

  • магнитодиэлектрическая эмульсия представляет собой принципиально новый материал подобного рода и не имеет в настоящее время прямых аналогов.

Предложения по сотрудничеству:
  • инвестиции в НИР.

Контактная информация:
Диканский Юрий Иванович
Тел.: 8 (8652) 33-02-83 доб. 4921
E-mail: adikanskii@ncfu.ru


Технология изготовления гетероподложки карбида кремния и алмаза для элементов электронной техники

Автор(ы): Тарала В.А. канд. хим. наук.

Научно-техническое описание.

Применение методов химического осаждения из газовой фазы (CVD) позволяет получать пленки алмаза и карбида кремния большой площади что отличает данные методы от других методов синтеза искусственных алмазов. Наши исследования показывают, что выбор кристаллографической ориентации
подложки влияет на качество и кристалличность синтезируемых пленок. Наилучшие результаты в случае синтеза пленок алмаза можно получить на подложках разориентированных относительно кристаллографического направления (100) одновременно в двух кристаллографических направлениях (010) и (001). Наилучшие результаты в случае синтеза пленок карбида кремния можно получить на подложках разориентированных относительно кристаллографического направления (111) одновременно в двух кристаллографических направлениях (110) и (101).

Конкурентные преимущества:

  • более низкая себестоимость производства гетероподложек карбида кремния в сравнении с монокристаллическими подложками;
  • возможность получать слои карбида кремния на подложках кремния диаметром шесть и более дюймов;
  • получение монокристаллических подложек алмазов, более 1 дюйма.

Стадия развития проекта: изготовлен опытный образец.

Предложения по сотрудничеству:

  • продажа технологии;
  • инвестиции в НИОКР.

Контактная информация:
Тарала Виталий Алексеевич
Тел.: 8 (8652) 94-41-72 доб. 5773
E-mail: vtarala@ncfu.ru


Способ осаждения слоев нитрида алюминия

Автор(ы): Тарал В.А., к.х.н., Лисицын С.В., к.т.н., А.А. Алтахи

Научно-техническое описания.

Предназначен для формирования пассивирующих и защитных слоев электронной техники, а также в качестве буферного слоя при выращивании гетероэпитаксиальных пленок нитрида галлия. Позволяет выращивать пленку AlN кубической и гексагональной модификации при температуре менее 3000 ° С, а также получать буферные слои нитрида алюминия с высокой однородностью по толщине и составу (> 98% на подложках диаметром 100 мм), при низкой температуре подложек (<300 0C) и малых затратах.

Конкурентные преимущества.
Испытания гетероструктур AlN / Al2O3 при выращивании слоев нитрида галлия показали:

  • снижение плотности микродефектов (питов) в слоях нитрида галлия;
  • снижение шероховатости поверхности слоев нитрида галлия;
  • отсутствие проблемы растрескивания слоя нитрида галлия и разрушения подложки сапфира.

Предложения по сотрудничеству:

  • поиск партнеров по разработке элементов электронной техники;
  • инвестиции в НИОКР.

Контактная информация:
Тарала Виталий Алексеевич
Тел.: 8 (8652) 94-41-72 доб. 5773
E-mail: vtarala@ncfu.ru


Способ выращивания кристаллов, подложек, гетероструктур на основе карбида кремния методом индукционного нагрева

Автор(ы): Санкин А.В., к.ф.н., доцент, Алтухов В.И., д.ф.-м. н., профессор

Научно-техническое описание.

Разработан новый индукционный метод выращивания гетероструктур, кристаллов и растворов карбида азота - широкозонного полупроводника с уникальными атомами (быстродействие, предельные токи и напряжение, частота и температура эксплуатации) для силовой электроники.

Применение приборов на основе электронной электроники на основе SiC и его растворов позволит радикально уменьшить габариты и расширить возможности преобразовательного оборудования, увеличить производительность и перейти к более высоким частотам преобразований, с более высокой температурой перехода и упрощенной системой охлаждения.

Конкурентные преимущества;

  • работа полупроводниковых приборов при высоких (до 600-700 ° С) температурах (ширина запрещенной зоны для SiC составляет 2,4-3,3 эВ, для Si - 2,4 эВ;
  • высокая теплопроводность: 3-5 Вт / (см град) для SiC по сравнению с1,5 Вт / (см град) для Si;
  • большие плотности рабочих токов (1000 А / см2);
  • высокая подвижность электронов (1000 см2 / Vs для SiC по сравнению с 1400 см2 / Vs для Si, где Vs - величина поверхностного обмена) в зависимости от концентрации носителей (1,56 · 1016 по сравнению с 1,57 · 1014 см – 3), а следовательно, и большая (по порядку) критическая напряжённость электрического поля (35 · 106 В / см для SiC по сравнению с 25 · 105 В / см) позволяет улучшить характеристики приборов силовой электроники : быстродействие, предельные коммутируемые токи и напряжение, статические и динамические потери.


Предложения по сотрудничеству:

  • продажа технологии;
  • инвестиции в НИОКР.

Контактная информация:
Санкин Александр Викторович
Тел.: 8 (8652) 94-40-71 доб. 5710
E-mail: cfee@ncfu.ru